Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
Further optimization of VLS localized epitaxy for deeper 4H-SiC p-n junctions
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BSO - Titre
Further optimization of VLS localized epitaxy for deeper 4H-SiC p-n junctions
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DOI
DOI
10.1002/pssa.201600454
XX
DOAI
DOAI
10.1002/pssa.201600454
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Identifiant WoS
WOS:000402158300030
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Accès ouvert
OA - Non
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Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Non OA
XX
Editeur
Wiley
XX
Source
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
XX
ISSN
1862-6300
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
3 - Correcte
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INC - Institut de chimie
INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
XX
uid:/3DZC01HG
12/10/2021 14:52:43 (latest)
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